规格信息驱动配置低压侧FET类型独立式驱动器数2栅极类型N 沟道，P 沟道 MOSFET电压-电源4.5 V ~ 15 V逻辑电压 -VIL，VIH0.8V，2.4V电流-峰值输出（灌入，拉出）2A，2A输入类型反相上升/下降时间（典型值）7.5ns，10ns工作温度-40°C ~ 125°C （TJ）封装/外壳8-SOIC

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